|
|||||
|
|
| 电子工业用CVDD工艺和性质 | |
| 引用本文： | 紫英.电子工业用CVDD工艺和性质[J].航空精密制造技术,1995(6). |
| 作者姓名： | 紫英 |
| 摘 要： | 电子工业用ＣＶＤＤ工艺和性质ＣＶＤＤ（化学气相淀积金刚石）是在氢气中渗入甲烷稀薄气体混合物制得的。温度大于７００℃，压力要低于１０１３３ｋＰａ。制得的金刚石为多晶微结构和柱状晶组织．这种工艺是一个在母体芯子上的ＣＶＤ过程。所得产品直径大于１５０ｍｍ。... |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |