基于倒金字塔结构的自供电Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器 |
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引用本文: | 陈佳年,沈鸿烈,李玉芳,张静喆,李贺超,张文浩.基于倒金字塔结构的自供电Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器[J].南京航空航天大学学报,2024(1):188-196. |
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作者姓名: | 陈佳年 沈鸿烈 李玉芳 张静喆 李贺超 张文浩 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(61174084); |
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摘 要: | 随着光电器件的进一步发展,陷光结构得到广泛关注,但是倒金字塔结构、尺寸与其陷光性能之间的关系有待深入研究。本文采用铜银共辅助腐蚀法制备倒金字塔结构并实现倒金字塔结构的尺寸在1μm以下调控,研究发现平均尺寸为1μm倒金字塔结构具有最优异的陷光性能。将具有优异陷光性能的倒金字塔结构硅衬底应用于Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器,该光电探测器在外加0 V偏压条件下对980 nm波长的光具有61mA/W的响应度和9.20×1012 Jones的比探测率,实现了卓越的光电响应性能。本文为高性能Si/PEDOT:PSS异质结光电探测器的制备提供了一种新思路,证明了倒金字塔结构具有广阔的应用前景。
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关 键 词: | 单晶硅 金属辅助化学腐蚀法 倒金字塔结构 自供电 异质结光电探测器 |
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