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| 一种抗辐照加固高压DAC的设计 | |
| 作者姓名： | 苏 晨 雷郎成 高炜祺 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060 |
| 摘 要： | 高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等.通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、NMOS管环栅设计、栅氧工艺优化等方法,而很少分析辐照条件下,电压和电路结构对MOS管阈值和漏电的影响.文章对总剂量辐照条件下,不同电压对MOS器件阈值和漏电的作用进行综合分析;重点研究了MOS器件的不同阈值变化对DAC影响的机理.并提出一种低电源电压的设计思路,有效提高了高压DAC的抗辐照能力.最后,利用内置LDO和输出运放钳位降压的设计,将高压DAC的抗辐照能力提高至50k rad(Si). |
| 关 键 词： | 高压DAC MOS管阈值 NMOS管环栅 总剂量辐照 |
Design of a radiation hardened high voltage DAC |
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| Authors: | SU Chen LEI Langcheng GAO Weiqi |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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