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宇航高可靠宽占空比磁隔离MOSFET驱动电路研究
作者姓名:吴建超  王俊琦  纪志坡  王 力  王蓓蓓  汪 哲
作者单位:北京卫星制造厂有限公司,北京 100094;北京升宇科技有限公司,北京 100085
摘    要:基于驱动变压器的磁隔离MOSFET驱动电路已经在宇航二次电源中得到广泛应用,针对现有磁隔离驱动电路存在的问题,结合宇航应用特点提出新型磁隔离驱动电路的6条设计目标,基于此设计了一种新型磁隔离驱动电路。详细分析了该电路的工作原理,推导出参数计算公式,并完成了全面的仿真验证。该电路具有:Vgs驱动电压幅值不随占空比发生变化以确保MOSFET高效导通;工作占空比可达90%以上且无失真传输;Vgs零负压从而保证功率MOSFET单粒子性能不受影响;占空比瞬变时驱动波形无异常震荡等特点。新一代宇航高效高功率密度电源拓扑的核心驱动问题得到解决,对提高星载二次电源效率具有重要的意义。

关 键 词:磁隔离  MOSFET驱动  高可靠  宽占空比  宇航二次电源
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