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NAND Flash存储器单粒子效应试验研究
作者姓名:
曹 洲
薛玉雄
高 欣
安 恒
张晨光
作者单位:
兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,兰州,730000;兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,兰州,730000;兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,兰州,730000;兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,兰州,730000;兰州空间技术物理研究所 真空技术与物理重点实验室,兰州,730000
基金项目:
国家自然科学基金;国家自然科学基金
摘 要:
单粒子效应易诱发空间电子设备发生在轨故障。文章针对大容量NAND Flash存储器,利用皮秒脉冲激光和高能重离子开展了试验研究,明确了此类器件的单粒子效应特点,探索了新型集成电路单粒子效应试验评估方法,为工程设计及试验评估提供了技术基础与保障。经皮秒脉冲激光试验发现,NAND Flash存储器件的存储单元易发生单粒子多位翻转,控制电路单元则发生单粒子锁定和功能中断。 经高LET值Xe+离子辐照试验发现,重离子会诱发器件产生电流尖峰脉冲(或电流火花)现象;在NAND Flash存储器未加电状态下,仍可诱发单粒子翻转;重离子辐照后存储器坏块明显增加,试验获得的单粒子翻转截面高达1.18×10-7cm2/位。基于试验结果分析,认为发生多位翻转的原因是激光束覆盖多个存储单元所造成;重离子辐照引起的浮栅晶体管击穿是存储器坏块增多的原因。
关 键 词:
单粒子效应
NAND闪存
脉冲激光
重离子
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