首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
CMOS集成电路中的交扰分析
作者姓名:
Sicard E
Rubio A
王朝晖
季荣昌
摘 要:
本文指出CMOS(互补—金属—氧化物—半导体)集成电路内传输线间的交扰耦合如何通过影响逻辑和模拟元件的传播延迟而引起错误状态。提出了用于寄生电容耦合效应计算的简化模型,计算了交扰对基本功能部件如逻辑门电路、锁存器、RAM存储器和模/数转换器性能的影响。
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号