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P型Si(100)化学镀NiP薄膜的制备及性能研究
引用本文:佟浩,王春明,力虎林.P型Si(100)化学镀NiP薄膜的制备及性能研究[J].南京航空航天大学学报,2007,39(3):343-348.
作者姓名:佟浩  王春明  力虎林
作者单位:1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016
2. 兰州大学化学化工学院,兰州,730000
3. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016;兰州大学化学化工学院,兰州,730000
摘    要:采用化学镀的方法在组成为NiSO4.6H2O NaH2PO2.H2O Na3C6H5O7.H2O的化学镀液中与Pd活化的p型Si(100)表面制备了NiP薄膜,利用X射线能量色散谱(EDX)对NiP薄膜的成分进行了表征。用原子力显微镜(AFM)和电化学阳极溶出(ASV)的方法对不同化学镀时间下的NiP薄膜在Si表面的覆盖度进行了研究。结果表明,在表面覆盖度Γ达到4.03×10-8mol/cm2时,表面覆盖达到饱和,此时颗粒大小均一,并分布均匀。以NiP/Si为工作电极,在0.5 mol/L1的H2SO4溶液中分别在光照和暗态条件下对不同化学镀时间的NiP薄膜进行阴极极化扫描,结果表明,在Si表面未完全被覆盖和过度被覆盖的情况下光电催化的性能都没有达到最高,仅当Si表面被完全覆盖时,具有最强的光电催化析氢特性。

关 键 词:化学镀  p型Si  NiP薄膜  光催化  性能研究
文章编号:1005-2615(2007)03-0343-06
修稿时间:2006-05-122006-07-28

Electroless Deposition of NiP Film on p-Si(100)and Its Property Study
Tong Hao,Wang Chunming,Li Hulin.Electroless Deposition of NiP Film on p-Si(100)and Its Property Study[J].Journal of Nanjing University of Aeronautics & Astronautics,2007,39(3):343-348.
Authors:Tong Hao  Wang Chunming  Li Hulin
Abstract:
Keywords:electroless  p-Si  NiP films  photocatalytic activity  property study
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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