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预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷性能的影响
引用本文:徐洁,罗发,朱冬梅,周万城.预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷性能的影响[J].航空材料学报,2008,28(3):39-43.
作者姓名:徐洁  罗发  朱冬梅  周万城
作者单位:西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072;西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072
摘    要:研究了预烧结对反应烧结多孔氮化硅陶瓷的介电性能和力学性能的影响。通过添加30wt%的成孔剂颗粒,制备出孔隙率在55%左右的具有宏观球形孔的多孔氮化硅陶瓷。反应烧结前,在低于硅熔点的温度下,对多孔硅坯体进行不同温度和不同时间的预烧。结果表明,随着预烧结温度的增高和时间的加长,反应烧结后烧结体的强度明显提高,介电常数ε′和介电损耗tanδ都有小幅度的增加。在硅粉中添加5wt%Y2O3 5wt%Al2O3进行预烧,可以减小反应烧结后试样的ε′,并且随预烧结时间的增加而减小。

关 键 词:多孔氮化硅陶瓷  预烧结  介电性能  抗弯强度
文章编号:1005-5053(2008)03-0039-05
修稿时间:2007年4月12日

Effects of Presintering on Properties of Reaction-Bonded Porous Silicon Nitride Ceramics
XU Jie,LUO Fa,ZHU Dong-mei,ZHOU Wan-cheng.Effects of Presintering on Properties of Reaction-Bonded Porous Silicon Nitride Ceramics[J].Journal of Aeronautical Materials,2008,28(3):39-43.
Authors:XU Jie  LUO Fa  ZHU Dong-mei  ZHOU Wan-cheng
Abstract:
Keywords:porous silicon nitride ceramics  presintering  dielectric properties  bending strength
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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