| 集成电路铜互连线的静态腐蚀速率研究 |
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| 引用本文： | 张文倩,赵鹏,关晓丹,王同举,栾晓东.集成电路铜互连线的静态腐蚀速率研究[J].北华航天工业学院学报,2021,31(1):8-11. |
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| 作者姓名： | 张文倩 赵鹏 关晓丹 王同举 栾晓东 |
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| 作者单位： | 北华航天工业学院 电子与控制工程学院,河北廊坊065000;江苏海洋大学 电子工程学院,江苏连云港222005 |
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| 基金项目： | 河北省高等学校科学技术研究项目;北华航天工业学院项目;北华航天工业学院项目;江苏省自然科学基金青年项目 |
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| 摘 要： | 利用静态腐蚀法分别研究了络合剂甘氨酸、氧化剂双氧水、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)、腐蚀抑制剂吡唑在碱性条件下对铜静态腐蚀速率的影响及作用机理.实验结果表明,在一定浓度范围内甘氨酸和双氧水的协同作用会加快Cu的静态腐蚀速率,而高氧化剂浓度会使得Cu表面形成氧化层钝化膜,抑制Cu腐蚀.活性剂ADS对Cu腐蚀有抑...
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| 关 键 词： | 互连线铜 抛光液 抑制剂 静态腐蚀速率 |
On State Etch Rate of Copper for Integrated Circuits |
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