| CVD-SiC阵列结构对ZrB2/SiC涂层抗烧蚀性影响 |
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| 引用本文： | 高志廷,马壮,柳彦博.CVD-SiC阵列结构对ZrB2/SiC涂层抗烧蚀性影响[J].航空学报,2024(3):266-279. |
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| 作者姓名： | 高志廷 马壮 柳彦博 |
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| 作者单位： | 1. 北京理工大学材料科学与工程学院;2. 北京理工大学重庆创新中心 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划（2022YFE0121200）；;国家自然科学基金（51772027）~~； |
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| 摘 要： | 采用飞秒激光在化学气相沉积(CVD)-SiC中间层表面制备不同尺寸的阵列，研究了阵列结构对ZrB2/SiC涂层性能的影响。结果表明，随着激光刻蚀频次的增大，阵列结构的深度从30μm增大到150μm。采用氧乙炔烧蚀600 s,ZrB2/SiC涂层烧蚀表面温度随CVD-SiC微结构深度增大而逐步降低，最低的表面温度达到1 700°C，下降了约200℃。烧蚀中心区域的颜色从白色过渡到浅灰色。对于激光刻蚀频次为5的试样，在600 s的单次烧蚀后，质量烧蚀率和线性烧蚀率分别为-7.4×10-5 g/s和-13.3μm/s。阵列结构增大了ZrB2/SiC涂层与CVD-SiC中间层的接触面积，从而增强了导热性能，减少了热积聚，进而改善了ZrB2/SiC涂层的抗烧蚀性能。
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| 关 键 词： | 阵列结构 烧蚀 等离子喷涂 C/C复合材料 CVD-SiC 激光刻蚀 |
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