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薄栅氧化层的氮化
引用本文:
林满院,孙有民.薄栅氧化层的氮化[J].航天制造技术,1995(3):8-10.
作者姓名:
林满院
孙有民
作者单位:
西安微电子技术研究所
摘 要:
采用对薄栅氧化层在纯NH3中氮化的技术,通过膜的击穿场强、表面电荷、抗腐蚀性和氮化膜中元素的百分浓度的检测对氧化样品进行分析,经过实验得到了稳定性和电特性都较好的薄栅介质,其中栅氧化层的平均击穿场强可达到13MV/cm。
关 键 词:
薄栅氧化层,氮化,氮化膜
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