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| SRAM的SEU效应及加固技术三维数值模拟 | |
| 引用本文： | 王步冉,夏克强.SRAM的SEU效应及加固技术三维数值模拟[J].质量与可靠性,2012(3):43-46. |
| 作者姓名： | 王步冉 夏克强 |
| 作者单位： | 西南电子设备研究所;中国人民解放军驻电子29所军代室 |
| 摘 要： | 利用TCAD软件,构建了特征尺寸为0.18μm的三维器件模型,采用器件与电路联合仿真的方法,对重离子在静态随机存储器(SRAM)中引起的单粒子翻转(SEU)效应进行了模拟,分析了SRAM单粒子翻转的机理。仿真了各种阻值的反馈电阻对SRAM抗SEU的效果,确定了SRAM单元抗SEU反馈电阻的阻值。仿真结果表明,搭建的仿真平台可为加固型SRAM电路的研制提供仿真平台和设计依据。 |
| 关 键 词： | SRAM 单粒子翻转 三维数值模拟 加固 |
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