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高速冲液脉冲放电制备纳米硅球
引用本文:张伟,汪炜.高速冲液脉冲放电制备纳米硅球[J].南京航空航天大学学报,2014,46(5):799-803.
作者姓名:张伟  汪炜
作者单位:南京航空航天大学机电学院,南京,210016
基金项目:国家高技术研究发展计划(“八六三”计划)
摘    要:通过Ansys对单脉冲放电过程进行温度分布仿真时发现,当脉宽很小时,汽化体积所占比例很高,即材料利用率较高,但是产率较低;而加大脉宽时,产率较高,但是汽化比例较低。为综合两者的优势,利用大脉宽加工,使放电通道移动。仿真结果表明,相对于放电通道静止,其在材料利用率和产率上都有了大幅度提高。当在加工中引入高速冲液时,实验表明其能促使放电通道发生漂移,收集产物后称量、计算,其产率达到了1g/h。

关 键 词:纳米硅球  脉冲放电  高速冲液  Ansys仿真

Preparation of Silicon Nanoparticles by Spark Erosion in High Pressure Dielectric
Zhang Wei,Wang Wei.Preparation of Silicon Nanoparticles by Spark Erosion in High Pressure Dielectric[J].Journal of Nanjing University of Aeronautics & Astronautics,2014,46(5):799-803.
Authors:Zhang Wei  Wang Wei
Abstract:
Keywords:silicon nanoparticle  spark erosion  high pressure dielectric  Ansys simulation
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