大高宽比阶梯型铜微柱阵列的制作 |
| |
引用本文: | 杜立群,袁博文,孔德健,王帅,蔡小可,王胜羿,肖海涛.大高宽比阶梯型铜微柱阵列的制作[J].航空制造技术,2023(10):14-20. |
| |
作者姓名: | 杜立群 袁博文 孔德健 王帅 蔡小可 王胜羿 肖海涛 |
| |
作者单位: | 1. 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室;2. 大连理工大学辽宁省微纳米系统重点实验室 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金(51975103,51875083); |
| |
摘 要: | 基于THB–151N光刻胶的微电铸工艺制作了一种阶梯型铜微柱阵列。针对THB–151N光刻胶显影过程中20μm微盲孔显影困难和底部留膜的问题,提出了一种基于浸没式双向兆声波辅助的显影方法。仿真研究了兆声功率密度和微盲孔深宽比对显影液传质过程的影响。优选了兆声功率密度和微盲孔深宽比,并开展了兆声辅助显影的试验研究。同时,针对THB–151N胶膜因曝光剂量选择不当导致微盲孔侧壁垂直度差的问题,通过光刻试验分析了曝光剂量对微盲孔侧壁垂直度的影响,拟合出曝光剂量与胶膜厚度的经验方程。在上述工艺方法和试验研究的基础上,制作出高度300μm、整体高宽比达15∶1、最小边长20μm、4×6的阶梯型铜微柱阵列。
|
关 键 词: | 铜微柱阵列 紫外光刻 显影 微电铸 兆声 |
|
|