GaAlAs单模半导体激光器的光谱特性 |
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引用本文: | R.O.Milles,李自忠.GaAlAs单模半导体激光器的光谱特性[J].宇航计测技术,1984(Z1). |
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作者姓名: | R.O.Milles 李自忠 |
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摘 要: | 单模半导体激光器与单模气体激光器相比较,具有自由振荡噪声的特性而显示出(1/f)~(1/2)的相关性。自由振荡激光二极管发射复盖的频率范围为几兆赫,并具有明显的频率不稳定性。当观测到的谱线窄到大约100千赫而使频率稳定度有显著提高时,10~(-7)到10~(-5)量级的弱反馈可提高激光的发射。较强的反馈会引起发射特性的迅速恶化。
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