| 一种硅深刻蚀中抑制Lag效应的新方法 |
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| 引用本文： | 张洪海,苑伟政,马志波. 一种硅深刻蚀中抑制Lag效应的新方法[J]. 航空精密制造技术, 2010, 46(3) |
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| 作者姓名： | 张洪海 苑伟政 马志波 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,陕西省微/纳米系统重点实验室,西安,710072;西北工业大学,陕西省微/纳米系统重点实验室,西安,710072;西北工业大学,陕西省微/纳米系统重点实验室,西安,710072 |
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| 摘 要： | 在MEMS器件加工过程中,采用ICP刻蚀不同深宽比的三维结构时,由于Lag效应的影响,使较大尺寸的线条有较快的刻蚀速率,导致刻蚀深度的差异.为了抑制Lag效应,本文以S.L.Lai的三阶段模型为基础,提出一种可以对Lag效应进行补偿的刻蚀模型.
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| 关 键 词： | MEMS Lag效应 刻蚀模型 刻蚀速率 |
Method to Avoid ARDE Lag of Silicon DRIE |
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| ZHANG Hong-hai,YUAN Wei-zheng,MA Zhi-bo. Method to Avoid ARDE Lag of Silicon DRIE[J]. Aviation Precision Manufacturing Technology, 2010, 46(3) |
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| Authors: | ZHANG Hong-hai YUAN Wei-zheng MA Zhi-bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MEMS |
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