| 碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析 |
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| 引用本文： | 陈思员 姜贵庆 俞继军 欧东斌. 碳化硅材料被动氧化机理及转捩温度分析[J]. 宇航材料工艺, 2009, 39(3) |
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| 作者姓名： | 陈思员 姜贵庆 俞继军 欧东斌 |
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| 作者单位： | 中国航天空气动力技术研究院,北京,100074 |
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| 摘 要： | 对SiC材料的抗氧化性能进行了试验,研究了该材料的氧化机制以及由被动氧化至主动氧化的转捩温度.结果表明,SiC材料在一定的氧分压环境中,表面温度低于转捩温度时,会在表面形成SiO2薄膜,薄膜厚度和时间的平方根成正比.表面温度高于转捩温度时材料发生主动氧化,材料表面发生烧蚀.
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| 关 键 词： | 抗氧化 碳化硅 转捩温度 |
Passive Oxidation Mechanism and Transition Temperature of Silicon Carbide |
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| Chen Siyuan,Jiang Guiqing,Yu Jijun,Ou Dongbin. Passive Oxidation Mechanism and Transition Temperature of Silicon Carbide[J]. Aerospace Materials & Technology, 2009, 39(3) |
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| Authors: | Chen Siyuan Jiang Guiqing Yu Jijun Ou Dongbin |
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