| 光电耦合器位移损伤效应研究 |
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| 引用本文： | 冯展祖,杨生胜,王云飞,等. 光电耦合器位移损伤效应研究[J]. 航天器环境工程, 2009, 26(2): 122-124 |
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| 作者姓名： | 冯展祖 杨生胜 王云飞 等 |
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| 作者单位： | 1.兰州物理研究所 真空低温技术与物理国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 真空低温技术与物理国家级重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 文章针对光电耦合器在空间辐射应用中的位移损伤效应，选取了一种典型的光电耦合器4N25进行了1MeV高能电子辐照试验，获得了辐照后器件电流传输比参数（CTR）的退化与电子注量的关系:在试验注量范围（1.3×1012 ~1.5×1013 cm-2）内，nCTR与电子通量成反比。通过位移损伤对器件及材料作用过程的分析，探讨了光电耦合器位移损伤效应作用机理。
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| 关 键 词： | 光电耦合器；位移损伤；辐射效应 |
| 收稿时间： | 2008-10-21 |
| 修稿时间： | 2008-11-11 |
Displacement damage of optocouplers |
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| Feng Zhanzu,Yang Shengsheng,Wang Yunfei and et al. Displacement damage of optocouplers[J]. Spacecraft Environment Engineering, 2009, 26(2): 122-124 |
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| Authors: | Feng Zhanzu Yang Shengsheng Wang Yunfei et al |
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| Affiliation: | 1.National Key Laboratory of Vacuum & Cryogenics Technology and Physics, Lanzhou Institute of Physics |
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| Abstract: | To study the radiation displacement damage of optocouplers, 4N25 is selected to be exposed under 1 MeV electron radiation. It is shown that the device’s parameter degradation is inversely proportional to the electron fluence. The mechanism of displacement damage of materials and devices, especially of the optocouplers, is discussed. |
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| Keywords: | optocoupler displacement damage radiation effects |
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