| 二氧化硅反应离子刻蚀中的微负载效应研究 |
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| 引用本文： | 乔大勇,苑伟政,虞益挺,谢建兵.二氧化硅反应离子刻蚀中的微负载效应研究[J].航空精密制造技术,2006,42(2):4-6. |
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| 作者姓名： | 乔大勇 苑伟政 虞益挺 谢建兵 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,微/纳米系统实验室,西安,710072 |
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| 摘 要： | 对二氧化硅反应离子刻蚀中反应室压力,刻蚀气体流量和射频功率等因素对刻蚀速率和刻蚀均匀性的影响进行了研究。结果表明,通过对反应室压力、刻蚀气体流量和射频功率的调节,可以降低微负载效应的影响,得到良好的刻蚀均匀性。
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| 关 键 词： | 反应离子刻蚀 二氧化硅 微负载效应 表面微细加工 |
| 文章编号： | 1003-5451(2006)02-0004-03 |
| 修稿时间： | 2005年11月10 |
Study of Micro Loading Effect in RIE Etch of SiO2 |
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| QIAO Da-yong YUAN Wei-zheng YU Yi-ting,.Study of Micro Loading Effect in RIE Etch of SiO2[J].Aviation Precision Manufacturing Technology,2006,42(2):4-6. |
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| Authors: | QIAO Da-yong YUAN Wei-zheng YU Yi-ting |
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| Abstract: | The influence of chamber pressure,gas flow rate and RF power on micro loading effect in reactive ion etch of silicon dioxide is researched.It is proved that the uniformity of etch rate can be improved and the effect of micro load can be decreased by adjusting the value of chamber pressure,gas flow rate and RF power properly. |
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| Keywords: | reactive ion etching silicon dioxide micro loading effect surface micro fabrication |
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