| 面阵CCD时序抗弥散方法研究 |
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| 引用本文： | 董龙,李涛. 面阵CCD时序抗弥散方法研究[J]. 航天返回与遥感, 2012, 33(6): 86-92 |
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| 作者姓名： | 董龙 李涛 |
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| 作者单位： | 北京空间机电研究所,北京,100076 |
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| 摘 要： | 文章通过讨论n沟道CCD的物理结构以及两种CCD饱和弥散(弥散型饱和状态和表面型饱和状态)的差异,介绍了面阵CCD抗弥散技术,它通过改变垂直转移时序使普通CCD具有抗弥散功能。对采用该技术前后相机抗弥散的实际效果进行了对比,进一步研究了面阵CCD时序抗弥散所必需的表面型饱和高电平偏置电压测定方法、低电平电压偏置测定方法以及时序工作频率标定方法,给出了工程实现的具体途径。总结了时序抗弥散技术的优缺点,列出了该技术的使用范围和限制条件。
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| 关 键 词： | 抗弥散 表面型饱和 n沟道 电荷耦合器件 |
Research of Area CCD Clock Antiblooming Method |
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| DONG Long,LI Tao. Research of Area CCD Clock Antiblooming Method[J]. Spacecraft Recovery & Remote Sensing, 2012, 33(6): 86-92 |
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| Authors: | DONG Long LI Tao |
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| Affiliation: | (Beijing Institute of Space Mechanics & Electricity,Beijing 100076,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | antiblooming Surface Full Well n-buried channel charge-coupled device |
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