| 浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究 |
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| 引用本文： | 贺朝会,耿斌,陈晓华,杨海亮.浮栅ROM器件的质子辐射效应实验研究[J].空间科学学报,2002,22(2):184-192. |
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| 作者姓名： | 贺朝会 耿斌 陈晓华 杨海亮 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024 |
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| 摘 要： | 给出了浮栅ROM器件的质子辐射效应实验结果.认为浮栅ROM28C256和29C256的质子辐射效应不是单粒子效应,而是质子及其次级带电粒子产生的累积剂量造成的总剂量效应.器件出现错误有个质子注量阈值.对于29C256,高温加电退火容易消除质子产生的辐射损伤;对于28C256,高温加电退火不易消除质子产生的辐射损伤.动态监测和静态加电的器件都出现数据错误,且不能用编程器重新写入数据.然而不加电的器件在更高的质子注量辐照下未出现错误.对于应用浮栅ROM器件的航天器电子系统,冷备份是提高其可靠性的有效手段之一.
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| 关 键 词： | FLASH ROM EEPROM 质子 单粒子效应 总剂量效应 |
| 修稿时间： | 2001年7月2日 |
EXPERIMENTAL STUDY ON PROTON IRRADIATION EFFECTS OF FLOATING GATE ROMS |
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| HE Chaohui GENG Bin,CHEN Xiaohua,YANG Hailiang.EXPERIMENTAL STUDY ON PROTON IRRADIATION EFFECTS OF FLOATING GATE ROMS[J].Chinese Journal of Space Science,2002,22(2):184-192. |
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| Authors: | HE Chaohui GENG Bin CHEN Xiaohua YANG Hailiang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | FLASH ROM EEPROM Proton Single event effects Total dose effect |
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