| AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展 |
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| 引用本文： | 季启政, 刘峻, 杨铭, 等. AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展[J]. 航天器环境工程, 2022, 39(4): 436-445 DOI: 10.12126/see.2022.04.016 |
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| 作者姓名： | 季启政 刘峻 杨铭 胡小锋 万发雨 刘尚合 |
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| 作者单位： | 1. 中国人民解放军陆军工程大学电磁环境效应重点实验室;2. 北京卫星环境工程研究所;3. 南京信息工程大学电子与信息工程学院;4. 北京东方计量测试研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年科学基金项目（编号:61904007） |
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| 摘 要： | 氮化镓（GaN）基异质结材料以其宽禁带、耐高温、高击穿电压以及优异的抗辐射性能成为航天领域半导体材料的研究和应用热点。而基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）因其制备过程带来的缺陷和损伤,性能将受到空间辐射的严峻挑战。文章对空间辐射环境下AlGaN/GaN HEMT的辐射机理和效应进行梳理;针对低中地球轨道以质子为主的辐射环境,对不同能量和注量的质子辐照对AlGaN/GaN HEMT的效应进行系统分析。鉴于从压电极化角度分析AlGaN/GaN HEMT的质子辐射效应存在欠缺,且不同能量和注量的质子辐照对器件的影响不同,提出后续应开展AlGaN/GaN HEMT辐射损伤机制、不同轨道辐射环境模拟以及质子辐照对AlGaN/GaN HEMT宏观特性影响研究。
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| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 质子辐照 位移损伤 压电极化 |
| 收稿时间： | 2022-01-14 |
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