SiO2溶胶在电沉积法制备CuInS2薄膜中的作用

 针对目前电沉积法制备的CuInS2(CIS)薄膜存在S元素含量不足以及微观形貌差的问题，通过在普通镀液中加入SiO2溶胶，采用一步电沉积技术在ITO导电玻璃上制备Cu In S预制薄膜，镀液的主要组成为金属盐、硫代硫酸钠和不同浓度SiO2溶胶。在空气气氛中对Cu In S预制薄膜进行退火处理以获得多晶的CIS薄膜，并通过X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）及开路电位对CIS薄膜的结构、形貌、成分组成及光响应性能进行研究。结果表明：SiO2溶胶浓度为4 mL/L时，得到的CIS薄膜的结晶度提高，同时，SiO2溶胶作用下得到的CIS薄膜的表面形貌、成分组成和光响应性能都得到改善。因此，镀液中加入SiO2溶胶有利于提高CIS薄膜的性能，尤其是浓度为4 mL/L时，性能提高得最为明显。