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| 基于HEMT的单片微波集成放大器设计 | |
| 作者姓名： | 杨学斌 吕善伟 苏东林 王良臣 |
| 作者单位： | 北京航空航天大学,电子工程系;中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 介绍了S波段单级单片微波集成放大器的设计方法,电路核心为高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT).针对在该波段高电子迁移率晶体管稳定性较差、噪声性能优秀的特点设计电路拓扑,在HEMT的输入端并联一个200Ω电阻,用HP-EESOF公司的Libra2.1软件进行了小信号电路仿真与设计.仿真结果表明设计的放大器是绝对稳定的,在2~3GHz频带内增益为14.2dB,纹波小于0.4dB,噪声系数约2.7dB,满足实用要求. |
| 关 键 词： | 微波晶体管放大器 微波集成电路 仿真 高电子迁移率三极管 |
| 收稿时间： | 1999-04-29 |
| 修稿时间： | : |
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