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低真空中材料半球向全发射率的测定
引用本文:刘雄飞,薛健.低真空中材料半球向全发射率的测定[J].宇航材料工艺,1986(6).
作者姓名:刘雄飞  薛健
作者单位:中南工业大学 (刘雄飞),中南工业大学(薛健)
摘    要:本文提出一种能够在低真空环境中测定出金属材料的半球向全发射率的方法。其基本原理是,在样品前面加反射罩和不加反射罩两种情况下,分别用脉冲激光照射,再让其在低真空气氛中自然冷却。通过比较两条降温曲线上同一温度点的降温速度,利用根据辐射换热原理推导出的计算公式,就可求出样品表面的半球向全发射率。对于该方法的测试误差,本文进行了详细的分析和计算。

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