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| 多孔氮化硅高温氧化特性分析 | |
| 引用本文： | 何凤梅,陈聪慧,杨景兴,黄 娜,王晓叶.多孔氮化硅高温氧化特性分析[J].宇航材料工艺,2014,44(1). |
| 作者姓名： | 何凤梅 陈聪慧 杨景兴 黄 娜 王晓叶 |
| 作者单位： | 航天材料及工艺研究所,先进功能复合材料技术重点实验室 |
| 摘 要： | 采用TG-DSC、XRD、SEM、ICP 等分析手段,对某一典型多孔氮化硅样品进行4 个不同温度点的 静态和微动态连续氧化试验,最高氧化温度为1 400℃。结果表明:多孔氮化硅在0. 1 MPa 静态空气气氛下, 800℃之前,氧化反应非常微弱,800℃以上可见明显的氧化反应,1 000℃以上氧化反应加剧,增重速率加快,并 优先发生在表面与外部孔壁处,之后再发生在样品的内部孔隙处,氧化反应受界面处的化学动力学控制,以被 动氧化为主,主要生成物是SiO2,属吸热反应。当生成的SiO2 将氮化硅表面和孔壁处覆盖时,在其界面处,随 着温度的进一步升高或时间的延长,会生成Si2N2O,且需要注意防范样品可能出现脆性断裂情况。此外,同等 温度下,动态氧化气氛将加速氮化硅的氧化,特别是多孔和粉末状样品。 |
| 关 键 词： | 氮化硅 多孔 氧化特性 高温 陶瓷材料 |
Analyzing The Oxidation Behavior of Porous Si3 N4 at High Temperature |
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| Institution: | Science and Technology on Advanced Functional Composites Laboratory, Aerospace Research Institute of Materials & Processing Technology |
| Abstract: | |
| Keywords: | Si3N4 Porous Oxidation behavior High temperature Ceramic material |
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