基于聚碳硅烷裂解度场的PIP工艺控制方案 |
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引用本文: | 王宇,焦健,邱海鹏.基于聚碳硅烷裂解度场的PIP工艺控制方案[J].航空制造技术,2014(6):72-74. |
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作者姓名: | 王宇 焦健 邱海鹏 |
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摘 要: | 以聚碳硅烷为前驱体采用PIP工艺制造陶瓷基复合材料构件,在裂解炉升温过程中,由于炉内温度场空间分布上存在的差异,以及炉内不同区域的实际升温过程相对于控温程序的滞后性,导致了裂解场分布不均匀。以聚碳硅烷热裂解动力学为基础,通过温度场与裂解度场的对应关系,阐述裂解度场的计算过程,并提出应用裂解度场的PIP工艺质量一致性控制方案。
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