| AZ91D镁合金低压交流氧化成膜机制 |
| |
| 引用本文： | 李文,李卫平,刘慧丛,朱立群.AZ91D镁合金低压交流氧化成膜机制[J].北京航空航天大学学报,2011,37(9):1186-1190. |
| |
| 作者姓名： | 李文 李卫平 刘慧丛 朱立群 |
| |
| 作者单位： | 北京航空航天大学 材料科学与工程学院, 北京 100191 |
| |
| 基金项目： | 航空科学基金资助项目(2008ZE51064) |
| |
| 摘 要： | 基于一种低的交流电压条件(10 V),在NaOH和Na2SiO3的混合溶液体系中,对AZ91D镁合金进行电化学阳极氧化处理.利用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、电化学测试技术等手段研究了AZ91D镁合金表面阳极氧化的成膜过程、膜层生长的特点以及氧化工艺参数对膜层性能的影响规律.试验结果表明:在10 V这样低的交流电压下,在镁合金表面获得的氧化膜层表面均匀,为无孔洞的平层状膜层,其生长过程呈叠加式特点;获得的氧化膜层的主要成分为Mg2SiO4;在质量分数为3.5%的NaCl溶液中,经过电化学阳极氧化的镁合金的耐蚀性优于未经处理的镁合金.
|
| 关 键 词： | AZ91D镁合金 交流低压 阳极氧化 成膜过程 |
| 收稿时间： | 2010-05-13 |
Mechanism of anodizing oxidation film of AZ91D magnesium alloy at low AC voltage |
| |
| Li Wen Li Weiping Liu Huicong Zhu Liqun.Mechanism of anodizing oxidation film of AZ91D magnesium alloy at low AC voltage[J].Journal of Beijing University of Aeronautics and Astronautics,2011,37(9):1186-1190. |
| |
| Authors: | Li Wen Li Weiping Liu Huicong Zhu Liqun |
| |
| Institution: | School of Materials Science and Engineering, Beijing University of Aeronautics and Astronautics, Beijing 100191, China |
| |
| Abstract: | A new anodizing process at low AC voltage(10 V) was used to prepare an electrochemical anodized film on AZ91D magnesium alloy in the electrolyte containing NaOH and Na2SiO3.A scanning electron microscope(SEM) with an energy dispersive X-ray spectroscopy(EDS) system was used to study the characteristics of the film-forming and growth process of the anodizing oxidation film on the AZ91D magnesium alloy.The influence of the parameters of oxidation process on film growth process and the properties of the film w... |
| |
| Keywords: | AZ91D magnesium low AC voltage anodizing oxidation growth process |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《北京航空航天大学学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《北京航空航天大学学报》下载免费的PDF全文 |
