国外激光蚀刻新工艺综述 |
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引用本文: | 高铁生.国外激光蚀刻新工艺综述[J].航天制造技术,1985(1). |
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作者姓名: | 高铁生 |
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摘 要: | 在半导体器件制造的蚀刻工艺中,目前还是以湿式化学蚀刻用得比较多。据美国统计,现在使用的湿式蚀刻设备,仍占54.2%。其余的占45.8%。干式蚀刻工艺虽多,但以等离子蚀刻使用得较多,约占33.7%。它表明,当前半导体器件生产仍然应用老的湿式技术。这种工艺工序繁琐、效率低、成本高,巳不能满足当前日益增长的需要。近几年来,除了继续开展于式离子蚀刻技术研究以外,美、日等国还在研制激光蚀刻新工艺。其中以美国起步较早,开展研究的也比较多,比如,贝尔研究所采用F_2准分子激光器进行了高分辨率真空紫外线光
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