| 金属氧化物半导体场效应晶体管之发展——从起始到ULSI |
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| 引用本文： | 施敏. 金属氧化物半导体场效应晶体管之发展——从起始到ULSI[J]. 航空精密制造技术, 1993, 0(1) |
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| 作者姓名： | 施敏 |
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| 作者单位： | 交通大学电子研究所 教授台湾新竹 |
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| 摘 要： | 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是用于ULSI中的重要器件。现在,我们评述从MOSFET的起始,直到在ULSI中应用时期的主要里程碑,并且讨论MOSFET功能的未来趋势。
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| 关 键 词： | 半导体 集成电路 电子器件 |
Evolution of MOSET(Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)-from Inception to ULSI |
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| Shi Min. Evolution of MOSET(Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)-from Inception to ULSI[J]. Aviation Precision Manufacturing Technology, 1993, 0(1) |
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| Authors: | Shi Min |
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| Abstract: | The metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is the dominant device used in ul- tra-large-scale integrated (ULSI) circuits. We present major milestones in the development of MOSFET from inception to ULSI, and discuss future trends of MOSFET performance. |
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| Keywords: | semiconductor IC electronic device |
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