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掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究
引用本文:邱海鹏,宋永忠,刘朗,翟更太,史景利.掺杂硅再结晶石墨微观结构及其性能的研究[J].航空材料学报,2002,22(3):16-21.
作者姓名:邱海鹏  宋永忠  刘朗  翟更太  史景利
作者单位:中国科学院山西煤炭化学研究所,山西,太原,030001
基金项目:自然科学重点基金(1 97895 0 3 7)
摘    要:用煅烧石油焦作填料、煤沥青作粘结剂、硅粉作添加剂 ,采用热压工艺制备了一系列不同质量配比的掺杂硅再结晶石墨。考察了不同质量配比的添加硅对再结晶石墨的热导率、电阻率和抗弯强度的影响以及微观结构的变化。结果表明 :与相同工艺条件下制备的纯石墨材料相比较 ,掺杂硅再结晶石墨的导热导电性能均有较明显的提高 ,而力学性能却有所降低。与纯石墨材料相比较 ,当硅掺杂量为 4wt%时 ,再结晶石墨电阻率可降低 2 5 % ;而当硅掺杂量超过 4wt%时 ,对再结晶石墨的电阻率影响不大。室温下 ,RG-Si-6再结晶石墨的层面方向热导率可达 3 2 5 W/ (m·K)。微观结构分析表明 ,随着硅掺杂量的增加 ,石墨微晶的石墨化度以及微晶尺寸均增大 ,晶面层间距 d0 0 2 降低。原料中掺杂硅量为 6wt%时 ,再结晶石墨的石墨化度为 94.3 % ,微晶参数 La/为 1 94nm。 XRD分析表明 ,硅元素在再结晶石墨中以 α-Si C的形式存在。硅对再结晶石墨制备过程的催化作用可以用碳化物分解机理来解释

关 键 词:热导率  电阻率  掺杂硅  再结晶石墨  微观结构
文章编号:1005-5053(2002)03-0016-06
修稿时间:2001年12月31

Investigation on microstructure and properties of recrystallized graphite by Si
QIU Hai peng,SONG Yong zhong,Liu Lang,ZHAI Geng tai,SHI Jing li.Investigation on microstructure and properties of recrystallized graphite by Si[J].Journal of Aeronautical Materials,2002,22(3):16-21.
Authors:QIU Hai peng  SONG Yong zhong  Liu Lang  ZHAI Geng tai  SHI Jing li
Abstract:
Keywords:thermal conductivity  electrical resistivity  dopant silicon  recrystallized graphite  microstructure
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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