C/SiC复合材料在1700℃下氧化机制研究

以沉积SiC涂层的C/SiC复合材料为研究对象,利用扫描电镜对复合材料表面进行观察分析,研究了复合材料在1 700℃下空氧环境中显微结构和成分演变。结果表明在1 700℃下,复合材料的氧化过程主要受到氧气在氧化膜中的扩散控制。C相在氧化过程中以气体的形式消耗殆尽,SiC相氧化形成氧化膜,覆盖在试样表面。由于SiC相氧化过程中伴随气体副产物的释放,在氧化膜中形成大量裂纹。这些裂纹的存在进一步加剧了复合材料的氧化损伤。