硅晶片表面超精密加工中的温度控制 |
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作者单位: | ;1.北华航天工业学院电子与控制工程学院 |
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摘 要: | 温度是硅晶片表面超精密加工中的关键工艺参数。深入研究化学机械抛光中温度参数对硅晶片表面状态的影响规律。实验结果表明,在30℃~35℃温度范围内的恒温工艺条件下,硅晶片表面质量较佳。以虚拟仪器LabVIEW为软件开发环境,搭建抛光设备的温度控制工艺模块,设计采取相应技术措施有效实现温度控制。实验验证该工艺模块具有启动迅速,控制精度高,恒温效果好等优点。
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关 键 词: | 硅片 化学机械抛光 温度 |
Temperature Control In Ultra-precision Machining of Silicon Wafer Surface |
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