| SRAM单元的单粒子效应三维敏感区形状参数模拟仿真方法 |
| |
| 引用本文： | 王玉才,刘艳,曹荣幸,李红霞,刘洋,郑澍,韩丹,薛玉雄.SRAM单元的单粒子效应三维敏感区形状参数模拟仿真方法[J].航天器环境工程,2023,40(6):622-629. |
| |
| 作者姓名： | 王玉才 刘艳 曹荣幸 李红霞 刘洋 郑澍 韩丹 薛玉雄 |
| |
| 作者单位： | 扬州大学电气与能源动力工程学院 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目（编号：12004329）；;江苏省研究生实践创新计划项目（编号：SJCX22＿1704）； |
| |
| 摘 要： | 为揭示静态随机存储器（SRAM）辐射效应以及内部电荷收集变化规律，从而为器件辐射效应及加固提供有效的仿真数据支撑，针对器件在轨单粒子翻转（SEU），提出一种SRAM单元的三维敏感区形状参数模拟仿真方法。首先通过器件级和电路级仿真相结合的手段，利用计算机辅助设计（TCAD）构建三维模型；然后通过仿真获得重离子从不同方向入射后的单粒子瞬态电流，将此电流作为故障注入到65 nm SRAM单元的电路级模型中仿真SEU；最终得到65 nm SRAM单元的单粒子效应（SEE）三维敏感区形状参数。
|
| 关 键 词： | 静态随机存储器 单粒子效应 器件级仿真 电路级仿真 三维敏感区 |
A method for simulating three-dimensional sensitive volume parameters in representation of single event effect of SRAM unit |
| |
| WANG Yucai LIU Yan CAO Rongxing LI Hongxia LIU Yang ZHENG Shu HAN Dan XUE Yuxiong.A method for simulating three-dimensional sensitive volume parameters in representation of single event effect of SRAM unit[J].Spacecraft Environment Engineering,2023,40(6):622-629. |
| |
| Authors: | WANG Yucai LIU Yan CAO Rongxing LI Hongxia LIU Yang ZHENG Shu HAN Dan XUE Yuxiong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《航天器环境工程》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《航天器环境工程》下载免费的PDF全文 |
