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| 193 nm紫外激光对单晶硅的损伤特性研究 | |
| 引用本文： | 王玺,雷武虎,张永宁,王毕艺,李乐.193 nm紫外激光对单晶硅的损伤特性研究[J].航天电子对抗,2023(5):44-47+64. |
| 作者姓名： | 王玺 雷武虎 张永宁 王毕艺 李乐 |
| 作者单位： | 1. 国防科技大学电子对抗学院脉冲功率激光技术国家重点实验室;2. 国防科技大学电子对抗学院先进激光技术安徽省实验室;3. 电磁空间安全全国重点实验室;4. 中国人民解放军94639部队 |
| 摘 要： | 主要开展了193 nm紫外激光对单晶硅的损伤实验，观察分析了材料表面的损伤形貌，建立了193 nm紫外激光损伤单晶硅的理论模型，计算分析了材料的温度场及应力场分布，讨论了损伤形貌及损伤机理。研究结果表明：193 nm紫外激光对单晶硅的损伤机理主要为热力耦合效应，硅材料表面产生严重的熔融烧蚀和裂纹状的应力损伤，计算得到193 nm紫外激光对单晶硅的熔融损伤阈值为0.71 J/cm2、热应力损伤阈值为0.42 J/cm2。 |
| 关 键 词： | 激光损伤 193 nm紫外激光 单晶硅 损伤阈值 |