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AlGaAs/GaAs二维电子气(2DEG)迁移率研究
引用本文:
李先皇,沈军.AlGaAs/GaAs二维电子气(2DEG)迁移率研究[J].自动驾驶仪与红外技术,1995(3):4-4,7.
作者姓名:
李先皇
沈军
摘 要:
利用分子束外延,我们用不同的生长速率生长了不同X值的AlxGa1-XaS/GaAs异质结构,对这些不同的样品进行了室温及液氮温度Hall迁移的测试,并进行了分析讨论。
关 键 词:
AlGaAs
砷化镓
异质结
迁移率
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