GaAs／AlGaAs多量子阱红外控制器耦合效率与光栅周期关系的研究

我们详细研究平面金属光栅耦合ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱红外光探测器耦合量子效率对光栅周期的依赖关系。为进行这项研究我们制备了光栅周期λ＝１．１，３．２，５．７和１０μｍ五种不同的探测器样品。