| 一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计 |
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| 引用本文： | 曹梦琦,王晓晖,高炜祺. 一种高压直采ADC的抗总剂量辐照设计[J]. 空间电子技术, 2023, 20(4): 45-49 |
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| 作者姓名： | 曹梦琦 王晓晖 高炜祺 |
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| 作者单位： | 重庆吉芯科技有限公司,重庆 400060;西安电子科技大学,西安 710071 |
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| 摘 要： | 由于γ射线对SiO2的电离作用,会引起MOS管阈值电压负漂移和二极管死区漏电变化,负漂移和漏电变化程度随MOS管栅氧厚度增加而加大。这样在设计高压直采ADC时,实现稳定基准和低漏电开关是个难点,通常的解决方法是优化电路参数裕量和版图,但很少考虑MOS管的反型和二极管的死区漏电。重点研究了MOS器件阈值和二极管死区漏电流变化对器件参数影响的机理,并提出一种不同电源电压MOS管结合设计思路,同时考虑了减小二极管死区漏电的影响。最后,通过使用不同电源电压MOS管设计和二极管死区漏电流分析,高压ADC在50krad（Si）总剂量条件下仍能达到设计要求。
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| 关 键 词： | 高压直采ADC MOS管阈值电压 二极管死区漏电 总剂量 |
A total dose radiation hardened design of high voltage direct sampling ADC |
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| CAO Mengqi,WANG Xiaohui,GAO Weiqi. A total dose radiation hardened design of high voltage direct sampling ADC[J]. Space Electronic Technology, 2023, 20(4): 45-49 |
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| Authors: | CAO Mengqi WANG Xiaohui GAO Weiqi |
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