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电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜
引用本文:刘琪%冒国兵%万兵%敖建平. 电沉积太阳电池用Cu(In,Ga)Se2薄膜[J]. 宇航材料工艺, 2007, 37(1): 61-63
作者姓名:刘琪%冒国兵%万兵%敖建平
作者单位:1. 安徽工程科技学院机械工程系,芜湖,241000
2. 上海空间电源研究所,上海,200233
3. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
基金项目:江西省自然科学基金;安徽省高校青年教师科研项目
摘    要:在Mo基底上,采用恒电位法从含有CuCl2、InCl3、GaCl3、H2SeO3、柠檬酸的水溶液中电沉积制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,用HCl调节pH值为2.5,并对沉积薄膜400℃左右Ar气氛中退火20min。对退火前后的膜进行X射线衍射,扫描电镜和能谱分析仪分析,结果表明,电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2薄膜为黄铜矿结构,退火后,共沉积薄膜的结晶度提高,晶粒尺寸增加,Se含量减少。

关 键 词:电沉积  退火  CIGS薄膜  太阳电池
修稿时间:2005-10-24

Electrodeposition of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films for Solar Cells
Liu Qi,Mao Guobing,Wan Bing,Ao Jianping. Electrodeposition of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films for Solar Cells[J]. Aerospace Materials & Technology, 2007, 37(1): 61-63
Authors:Liu Qi  Mao Guobing  Wan Bing  Ao Jianping
Affiliation:1.Department of Mechanical Engineering, Anhui Uniniversity of Science and Technology, Wuhu 241000; 2. Shanghai Institute of Space Power-Sources,Shanghai 200233; 3. Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technique of Nankai University,Tianjin 300071
Abstract:
Keywords:Electrochemical deposition  Annealing treatment  CIGS thin films  Solar cells
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