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SiCf/TC17复合材料制备方法对界面反应层生长动力学的影响
引用本文:王敏涓,李虎,李四清,王宝,黄旭,黄浩.SiCf/TC17复合材料制备方法对界面反应层生长动力学的影响[J].航空材料学报,2023(4):68-75.
作者姓名:王敏涓  李虎  李四清  王宝  黄旭  黄浩
作者单位:1. 中国航发北京航空材料研究院;2. 中国航空发动机集团先进钛合金重点实验室
摘    要:连续SiC纤维增强钛基复合材料(SiCf/Ti复合材料)具有良好的比强度和综合力学性能,是新一代装备研制备受关注的轻质高温结构材料。SiCf/Ti复合材料可采用箔压法(FFF)和基体涂层法(MCF)进行制备,为对比两种工艺方法对其界面反应生长的影响,采用FFF和MCF分别制备SiCf/TC17复合材料。对两种工艺制备的SiCf/TC17复合材料在高温下(800~900℃)进行热暴露处理,通过扫描电镜对其微观结构及界面反应层厚度进行分析,获得界面反应层在高温下的生长速率,并进一步获得不同制备工艺状态下材料的界面反应动力学参数。结果表明:相同温度下MCF法制备的SiCf/TC17复合材料界面反应速率大于FFF法制备的复合材料,前者的反应速率因子k0为4.942×10-3 m/s1/2,反应激活能Q为276.3 kJ/mol,后者的界面反应速率因子k0为8.149×10-3 ...

关 键 词:SiCf/Ti复合材料  箔压法  基体涂层法  反应动力学
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