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一种低电压高精度CMOS带隙基准设计
引用本文:李攀,田泽,强新建,王进军.一种低电压高精度CMOS带隙基准设计[J].航空计算技术,2007,37(2):53-55,59.
作者姓名:李攀  田泽  强新建  王进军
作者单位:西北大学,信息学院,陕西,西安,710069;西北大学,信息学院,陕西,西安,710069;西安石油大学,计算机学院,陕西,西安,710065
摘    要:设计了一种标准CMOS工艺下的低电压带隙基准电路,该电路使用了温度的二阶曲率补偿技术,使输出电压达到了较低的温度系数.HSPICE的仿真结果表明,该电路在-20℃~120℃的温度范围内,输出电压变化为500uV,在1.0V~1.8V的电源电压范围内,输出电压为284.6±0.3 mV,电压抑制比约为60dB,最低工作电压接近于1V,在1.3V的电源电压时,总共耗为5uW,适合于低电压低功耗领域的应用.

关 键 词:CMOS  带隙基准  曲率补偿
文章编号:1671-654X(2007)02-0053-03
修稿时间:2006年9月21日

Design of a High Accuracy and Low Voltage CMOS Band-gap Reference Circuit
LI Pan,TIAN Ze,QIANG Xin-jian,WANG Jin-jun.Design of a High Accuracy and Low Voltage CMOS Band-gap Reference Circuit[J].Aeronautical Computer Technique,2007,37(2):53-55,59.
Authors:LI Pan  TIAN Ze  QIANG Xin-jian  WANG Jin-jun
Abstract:
Keywords:CMOS  band-gap reference  curvature compensation
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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