以含硅芳炔树脂为先驱体ꎬ采用先驱体浸渍法(PIP) 制备了C/ C-SiC 复合材料ꎮ 首先通过炭化 T300/ 含硅芳炔树脂(CFRP)制备了多孔C/ C-SiC 预制体ꎬ并探究了炭化工艺对所得多孔C/ C-SiC 预制体性能 的影响ꎬ制得的多孔C/ C-SiC 预制体弯曲强度为98 MPaꎻ然后以含硅芳炔树脂溶液为浸渍剂ꎬ浸渍多孔C/ CSiC 预制体ꎬ经过4 次浸渍、固化、炭化后ꎬ得到致密的C/ C-SiC 复合材料ꎬ其弯曲强度提升到203 MPaꎬ同时用 XRD、SEM、TEM 等手段表征了复合材料的微观结构ꎬ所得C/ C-SiC 复合材料主要成分为β-SiC 及无定型碳ꎮ
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