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| 抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计 | |
| 引用本文： | 赵源,徐立新,赵琦,金星.抗辐射模拟CMOS集成电路研究与设计[J].中国空间科学技术,2013,33(3). |
| 作者姓名： | 赵源 徐立新 赵琦 金星 |
| 作者单位： | 1. 北京理工大学,北京100081;中国空间技术研究院,北京100094 2. 北京理工大学,北京,100081 3. 中国空间技术研究院,北京,100094 |
| 摘 要： | 为研究宇宙辐射环境中航天器里的模拟互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)集成电路性能和各种效应,并在辐射效应所产生机制的基础上,从设计和工艺方面提出了模拟CMOS集成电路主要抗辐射加固设计方法.在宇宙环境中,卫星中的模拟CMOS集成电路存在CMOS半导体元器件阈值电压偏离、线性跨导减小、衬底的漏电流增加和转角1/f噪声幅值增加.所以提出了3种对模拟CMOS集成电路进行抗辐射加固的方法:1)抗辐射模拟CMOS集成电路的设计;2)抗辐射集成电路版图设计;3)单晶半导体硅膜(Silicon on Insulator,SOI)抗辐射工艺与加固设计.根据上面的设计方法研制了抗辐射加固模拟CMOS集成电路,可以取得较好的抗辐射效果. |
| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体 阈值电压 跨导 抗辐射 单晶半导体硅膜 空间环境 航天器 |
Research and Design of Anti-radiation Analog CMOS Integrated Circuits |
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| Zhao Yuan , Xu Lixin , Zhao Qi , Jin Xing.Research and Design of Anti-radiation Analog CMOS Integrated Circuits[J].Chinese Space Science and Technology,2013,33(3). | |
| Authors: | Zhao Yuan Xu Lixin Zhao Qi Jin Xing |
| Abstract: | |
| Keywords: | Complementary metal oxide semiconductor Threshold voltage Transconductance Anti-radiation Silicon on insulator Space environment Spacecraft |
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