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退火对CoFe薄膜结构特性的影响
引用本文:白翠琴,吴平,李正强,谭红革. 退火对CoFe薄膜结构特性的影响[J]. 中国民航学院学报, 2006, 24(3): 52-54
作者姓名:白翠琴  吴平  李正强  谭红革
作者单位:中国民用航空学院理学院 天津300300(白翠琴,谭红革),北京科技大学应用科学学院 北京100083(吴平),宝钢股份有限公司能源部 上海201900(李正强)
基金项目:中国民用航空学院校科研和教改项目;中国民用航空学院校科研和教改项目
摘    要:利用粉末冶金方法置备了Co90Fe10靶材,用X射线能量损失谱(EDX)分析靶材成分,并利用X射线衍射分析靶材的结构。CoFe薄膜在优于5.5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了450℃和500℃的60min退火处理。用EDX和俄歇电子能谱分别分析了靶材和薄膜的成分中Co,Fe的比例。X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显增大,趋向靶材面间距。磁阻特性测量表明室温沉积的薄膜磁电阻经450℃和500℃退火后得到非常明显改善。

关 键 词:CoFe薄膜  电子束蒸发  退火膜结构  各向异性磁电阻率
文章编号:1001-5000(2006)03-0052-03
收稿时间:2006-01-06
修稿时间:2006-02-28

Annealing Effect on Structure of CoFe Film
BAI Cui-qin,WU Ping,LI Zheng-qiang,TAN Hong-ge. Annealing Effect on Structure of CoFe Film[J]. Journal of Civil Aviation University of China, 2006, 24(3): 52-54
Authors:BAI Cui-qin  WU Ping  LI Zheng-qiang  TAN Hong-ge
Abstract:
Keywords:CoFe film   e-beam evaporation   annealing   film structure   AMR
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