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| 第31届ICT年会关于含能材料的报道 | |
| 引用本文： | 王文俊.第31届ICT年会关于含能材料的报道[J].推进技术,2000,21(6):82-82. |
| 作者姓名： | 王文俊 |
| 作者单位： | |
| 摘 要： | 第 31届ＩＣＴ国际年会 ,于 2 0 0 0年 6月 2 7日至 30日在德国卡尔斯鲁厄 (Ｋａｒｌｓｒｕｈｅ)市召开。会议代表2 94人 ,来自 2 0多个国家和地区。会议共有 150篇论文 ,大会报告 4 4篇 ,张贴报告 10 6篇。有关固体推进剂的、内容较新颖的主要有 :ＣＬ 2 0的 10篇 ,ＧＡＰ的 7篇 ,新含能材料的 7篇 ,ＨＮＦ的 3篇 ,ＡＤＮ的 2篇 ,ＨＴＰＢ/ＩＰＤＩ的 2篇 ,新概念的 2篇等。从这些报告中可以看出 :( 1)ＣＬ 2 0 /ＧＡＰ仍是固体推进剂及含能材料目前研制的热点。美、德、俄、法、英等国均为会议提供了研究报告 ,内容有工业化产品的特性、制… |
| 关 键 词： | 含能材料 低特征信号推进剂 固体推进剂 三硝基氮杂环丁烷 研究报告 二硝酰胺铵 硝酸酯 新概念 老化性能 合成与性能 |
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