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分类号
杂志ISSN号
SRAM HM—65642的单粒子闩锁特性
作者姓名:
蔡震波
吴中祥
作者单位:
北京空间飞行器总体设计部,北京空间飞行器总体设计部
摘 要:
由空间高能带电粒子引起的CMOS器件单粒子闩锁效就(SEL),在卫星工程中已日益受到重视。本文对试验获得的SRAM HM—65642的各种SEL特性进行了详细分析,希望对卫星电子系统设计师们在进行CMOS器件的防闩锁设计中能有所帮助。
关 键 词:
单粒子闩锁
单粒子效应
CMOS器件
可控硅效应
抗辐射
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