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| 在Si上生长的外GaAs的深化能级研究 | |
| 引用本文： | 梁家昌,高瑛.在Si上生长的外GaAs的深化能级研究[J].中国民航学院学报,1996,14(1):39-45. |
| 作者姓名： | 梁家昌 高瑛 |
| 摘 要： | 本文对在Ｓｉ衬底上用金属－有机的化学汽相沉积法生长的ＧａＡｓ外处膜中的１．０４ｅＶ发射作了变温与变激发强度的近红外光致发光研究。该１．０４ｅＶ发射可用由Ｖ＾１－ＡＳ施主及Ｖ＾１－ＧＡ受主所组成的施主－受主对的复合发光来给予很好解释。 |
| 关 键 词： | 施主－受主对 砷化镓 带隙移动 跃迁能 |
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