高压烧结TaC陶瓷的致密化机理研究 |
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引用本文: | 顾俊峰,张帆,张金咏,王皓,王为民,傅正义.高压烧结TaC陶瓷的致密化机理研究[J].载人航天,2023(4):442-448. |
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作者姓名: | 顾俊峰 张帆 张金咏 王皓 王为民 傅正义 |
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作者单位: | 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 |
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基金项目: | 中央高校基本科研业务费专项资金资助(2020IVA096); |
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摘 要: | 针对过渡金属碳化物陶瓷难以烧结致密化的问题,选取TaC陶瓷为对象,对比研究了不同烧结条件下晶界、缺陷等微观结构的形成特点以及动力学差异,探讨了高压烧结过程的特殊传质机理。研究表明,低温/高压的烧结条件有利于获得致密、细晶的结构;随着压力的增加,在烧结初期,致密化机制从晶格扩散/晶界滑移逐渐转变为晶界扩散/晶界滑移;在烧结末期,致密化的控制机制从晶格扩散逐渐转变为晶界扩散。
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关 键 词: | 高压烧结 高熔点陶瓷 致密化机理 细晶陶瓷 |
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