透明导电氧化物薄膜的抗伽马辐照性能研究

利用射频磁控溅射法制备出具有良好光电性能的In₂O₃: W（IWO）薄膜，与购置的In₂O₃: Sn（ITO）薄膜一起，在伽马射线地面加速模拟试验设备中进行辐照试验。对辐照前后两种薄膜样品的微观结构、表面形貌、光电性能和元素价态进行对比分析，并用正电子湮没方法研究辐照前后的缺陷情况。结果表明，伽马射线辐照可引起ITO及IWO薄膜样品中氧空位缺陷的少量增加，且缺陷主要产生于薄膜表层及薄膜与基底界面结合处。高能伽马光子作用于透明导电氧化物薄膜，主要通过破坏其内部结合能较低的化学键，并实现薄膜系统中元素之间的选择性重组。ITO与IWO具有良好的抗伽马辐照性能，IWO相比ITO更适合于抗伽马辐照相关应用。