用圆柱形TM_(omo)模空腔谐振器的微波功率合成器的设计

目前,在微波频段,为实现几十瓦以上的大功率场效应晶体管(FET)放大器,必须用功率合成器。该论文中使用了输入输出电路为同轴线的圆柱形TMomo模(m=2,3……)空腔谐振器,提出了一种比过去结构简单、频带宽、插损低的合成器方案,并由等效电路说明了模数m和合成数对带宽的影响。空腔谐振器的寄生模会使采用合成器的FET放大器可靠性降低,因此提出了一种在TMomo模空腔谐振器里附加抑制寄生模的缝隙和副谐振器的结构。为了验证这种结构的有效性,进行了激励寄生模,测定其反射特性的实验。在12GHz,m=2及4时,本方案设计的4路、8路合成器的插入损耗分别为0.25dB和0.45dB,并实现了用该合成器最大输出为40W的FET放大器。